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第049章 捅破一层窗户纸(第1页)

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第一次进入清大光刻机车间,赵国庆有些激动,直接直奔主题,几个关键技术。

“何教授,你们这光刻机用的什么光源?”

“你还真懂光刻机啊!”

赵国庆笑了笑:“书上有介绍!”

何振华说:“用的高压汞灯光源,436纳米的蓝光汞g线,这类高压汞灯光源目前已经达到国际先进水平!”

好吧,国际先进水平,国际上十年前都已经开始研究波长更短的紫光激光电源了。

赵国庆想起kmbbf晶体,前世的他现kmbbf晶体在零下213摄氏度的时候,出现导现象。

就在他用x光穿透kmbbf晶体,想要检测kmbbf晶体的分子结构时,现进入导状态的kmbbf晶体,竟然可以反射x光。

这可是了不得的现。

x光因为有强大的穿透力,目前任何透镜都不能让他转移方向,而kmbbf晶体如果能让x光反射的话,可以通过凹面镜,缩小掩膜版的图像,对光刻机光源有着颠覆的变革。

可惜的事,现这件事后,没多久就挂了,没有再研究下去。

不过,现在,他有足够的时间继续这项研究。

何振华教授继续介绍,从口气中听出的,全部是遥遥领先。

“采用的是国际先进的非接触式透镜曝光方法,成像质量高,比起三年前h大制作的接触式曝光,可以显著提高掩膜版的使用寿命,并且透镜曝光可以以掩膜版比光刻图案5:1的比例,可以制造更复杂的芯片。”

赵国庆点点头,他虽然对光刻机算不上内行,但怎么也能说是见多识广。

inte1、ibm的芯片制造厂他都进去过,从九十年代一直到2o23年,国外光刻机一路演变,他还是清楚的。

“436纳米的蓝光汞g线光源,加上非接触式掩膜曝光工艺,理论上可以制造一微米制程的芯片!”

若采用多重曝光甚至可以制造5oo纳米制程的芯片,或者水膜浸润工艺,当然技术难度更高一些,极致可以制造25o纳米芯片,这些话没办法说。

至于用九十年代明的kbbf晶体升级极紫外光,还有双工台提升商用制造效率,现在还是没影的事。

能不能现在开始布局?

没说的,肯定要干啊!

赵国庆的问题,何振华教授没有回答,而赵国庆也现了一些问题。

“校准采用的是人工校准!”

光刻流程不是一步到位,有时候需要反复多次,所以再次光刻,位置如果有细微的改变,往往意味着制造失败,所以需要校准。

而校准的办法就是在晶片上留下一个标志,以这个标志来校正。

何振华摇摇头。

“国内最先进的魔都电机厂都没有合适的伺服电机,国内的光压传感器灵敏度不够,只能用人工校准,我们采用三轴人工校准装置,误差可以精确在一百纳米。”

赵国庆摇摇头,这台光刻机根本没有商业方面的使用前途,xyz三轴人工校准,虽然没看他们操作,时间上肯定不会短。

“光刻胶,蚀刻氟化氢……”

“进口日本的?”

“曝光用的透镜呢!”

“进口日本尼康!”

好吧,赵国庆大概也明白了。

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